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  • 分立元件构成的IGBT驱动电路

    分立元件构成的IGBT驱动电路

    2020-09-16 15:06:04

  • IGBT绝缘栅极双极晶体管过压保护电路

    奇亿平台 IGBT绝缘栅极双极晶体管过压保护电路IGBT的栅极过压的原因1.静电聚积在栅极电容上引起过压。2.电容密勒效应引起的栅极过压。为防止IGBT的栅极-发射极过压情况发生,应在IGBT的栅极与发射极之间并接一只几十千欧的电阻,如上图所示。此电阻应尽量靠近栅极与发射极。

    奇亿平台2020-09-16 15:05:58

  • IGBT在CO2气体保护焊电源中的电路原理图

    奇亿平台 IGBT在CO2气体保护焊电源中的电路原理图IGBT在CO2气体保护焊电源中的应用电路图如图所示

    2020-09-16 15:05:52

  • IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路

    IGBT(NPT型结构)的寄生组件和等效电路

    2020-09-16 15:05:39

  • IGBT开关等效电路和开通波形电路

    IGBT开关等效电路和开通波形电路

    2020-09-16 15:05:31

  • 硬开关斩波电路中的IGBT的关断电压波形电路

    硬开关斩波电路中的IGBT的关断电压波形电路

    奇亿平台2020-09-16 15:05:25

  • 具有寄生晶体管的IGBT等效电路

    具有寄生晶体管的IGBT等效电路

    奇亿平台2020-09-16 15:05:19

  • IGBT和续流二极管的功率模块单元电路

    IGBT和续流二极管的功率模块单元电路(a)所示为单开关模块; (b)所示为两单元(半桥)模块; (c)所示为H桥(单相桥)模块; (d)所示为不对称H桥模块; (e)所示为三相桥(六单元或逆变桥)模块; (f)所示为斩波模块; (g)所示为斩波模块; (h)所示为三相桥GD加斩波GAL(制动斩波电路)模块; (i)所示为三单元模 块,由3组开关组成; (j)所示为单开关加集电极端串联二极管(反向

    2020-09-16 15:05:13

  • 两单元IGBT模块的寄生电感电路

    奇亿平台 两单元IGBT模块的寄生电感电路

    奇亿平台2020-09-16 15:05:07

  • D型IPM的结构及IGBT的等效电路

    奇亿平台 D型IPM的结构及IGBT的等效电路

    奇亿平台2020-09-16 15:04:49

  • N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路

    N沟道IGBT的简化等效电路和电气图形符号电路

    奇亿平台2020-09-16 15:04:36

  • 两个反向阻断型IGBT反向并联时的电路和关断波形电路

    奇亿平台 两个反向阻断型IGBT反向并联时的电路和关断波形电路

    2020-09-16 15:04:30

  • IGBT的VCR(压控电阻)等效电路模型电路

    IGBT的VCR(压控电阻)等效电路模型电路

    奇亿平台2020-09-16 15:04:24

  • M57962L驱动大功率IGBT模块时的应用电路

    奇亿平台 M57962L驱动大功率IGBT模块时的应用电路

    2020-09-16 15:04:06

  • GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线电路

    GA系列IGBT半桥、高端开关和低端开关型模块的内部接线电路

    2020-09-16 15:02:51

  • IGD系列IGBT驱动器内部框电路

    IGD系列IGBT驱动器内部框电路

    2020-09-16 15:01:34

  • H桥IGBT功率单元及试验装置的母线结构

    奇亿平台 H桥IGBT功率单元本文中的实验装置是一台单相 H 桥IGBT 功率单元,其拓扑结构如图1 所示。其中,电容C1、C2 各由四个6800 μF 电解电容并联组成,开关器件为三菱公司的半桥IGBT 模块CM300DY-24A。实验装置中直流母线的机械结构如图2 所示,图中的A~F 与图1 相应标注表示同一位置。其中,A 接直流电容正极,与之相连的母线称为正母线(为便于测量母线电流,分成正母线1 和正

    奇亿平台2020-09-15 20:10:26

  • 集成电路TLP250构成的IGBT驱动器及电路

    奇亿平台 集成电路TLP250构成的IGBT驱动器及电路IGBT模块驱动及保护技术

    奇亿平台2020-09-15 15:06:07

  • 充放电型IGBT缓冲吸收电路

    充放电型IGBT缓冲吸收电路为了使IGBT关断时的过电压能得能更有效的抑制并减小IGBT的关断损耗,通常都需给IGBT主电路设置关断缓冲吸收电路。

    2020-09-15 15:05:55

  • IGBT驱动原理及电路图

    下为DA962Dx系列原理图,参考下图可设计出最大可驱动300A/1700V的IGBT驱动板,落木源电子所生产的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。 下图为DA102Dx系列原理图,参考下图可设计出最大可驱动2400A/1700V的IGBT驱动板,落木源电子所生产的IGBT驱动板是在此基础上增加了更多保护、指示等附加功能。

    2020-09-13 15:13:35

  • IGBT基本结构及电路图

    奇亿平台 IGBT实在BDMOS型功率场效应管的基础上发展起来的。在VDMOS结构的漏极侧N+层下,增加一个P+层发射极而行程pn,如图1-31所示,就构成IGBT。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)

    奇亿平台2020-09-11 20:09:55

  • IGBT静态特性与参数及电路图

    IGBT的静态特性包括伏安特性、转移特性和静态开关特性。IGBT的伏安特性如图1-33所示,与GTR的伏安特性基本相似,不同的是,控制参数是栅源电压,而不是基极电流。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)

    奇亿平台2020-09-11 20:09:48

  • IGBT驱动电路设计考虑及电路图

    在IGBT的栅极电路中,主要考虑的因素包括栅极电压U的正、负及栅极电阻R的大小。它们对IGBT的导通电压、开关时间、开关损耗、承受短路能力及等参数均有不同的程度的影响。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)

    2020-09-11 20:09:40

  • IGBT的保护及电路图

    IGBT的保护措施,主要包括过压保护和过流保护两类。使用中,对于IGBT因关断而产生的开关浪涌电压,可以采用适当的缓冲回路抑制它,使器件免于损坏。欲了解更多信息请登录电子发烧友网(http://www.elecfans.com)

    2020-09-11 20:09:32

  • VMOS、IGBT逆变充电电路图

    奇亿平台 逆变器中的开关元件选用VMOS或IGBT时,组成的充电电路,比用晶闸管作开关元件的充电电路的工作频率高。

    奇亿平台2020-09-11 20:04:37

  • 中频加热IGBT控制电路

    IGBT控制电路原理图如下图所示,本电路可用于中频加热系统。 其中,LM565是集成锁相环电路,其功能是提供频率稳定的方波信号,通过调节电位器VR1即可改变LM565的输出频率。LM565的输出信号经过施密特反相器74HC14连接到D触发器74HC74的时钟端,D触发器的输出经过整形后加到与门74HC08的输入端,从输出端OUT1、OUT2、OUT3、OUT4即可得到2路互补方波信号。其中OUT1

    2020-09-10 00:03:44

  • IGBT过流保护电路

    奇亿平台 IGBT过流保护电路如下图所示,本电路可用于中频加热系统。 其中运放C814组成电压跟随器,其输入是来自电流互感器的输出,两个电压比较器C271组成窗口电压比较器,比较器的输出经施密特反相器连接到与门的输入端。当IGBT没有过流时,C814的输入电压比较低,窗口电压比较器输出为高电平,因此EN信号为高电平,使IGBT驱动信号有效,反之,当IGBT过流时,EN信号变为低电平,封锁了IGBT驱动信号而

    奇亿平台2020-09-10 00:03:38

  • IGBT变频电源电路

    奇亿平台 J S 为软启动控制,避免上电时浪涌电流对整流模块的冲击。IGBT变频电源电路:

    奇亿平台2020-09-09 10:02:15

  • 全桥型IGBT脉冲激光电源电路

    奇亿平台 V1—V4组成桥式逆变器,两端并联RCD吸收支路,L为限流电感,Co为储能电容,Lo用于限制Co对负载氙灯的放电电流,保护氙灯。此处将限流电感L放在变压器原边。这除了能实现功率管的零电压开通外,例如在V1,V4关断后,由于L的续流作用,D2,D3导通,则V2,V3可实现零电压开通;还可分担变压器原边绕组上的压降,减少变压器匝数,进而减小变压器磁心。全桥型IGBT脉冲激光电源电路:

    2020-09-08 15:02:05

  • IGBT过流检测保护电路图

    当电源输出过载或者短路时,IGBT的Vce值则变大,根据此原理可以对电路采取保护措施。对此通常使用专用的驱动器EXB841,其内部电路能够很好地完成降栅以及软关断,并具有内部延迟功能,可以消除干扰产生的误动作。其工作原理如图4所示,含有IGBT过流信息的Vce不直接发送到EXB841的集电极电压监视脚6,而是经快速恢复二极管VD1,通过比较器IC1输出接到EXB841的脚6,从而消除正向压降随电流

    2020-09-08 10:02:29